GB/T32279-2015
硅片订货单格式输入规范
Specificationfororderentryformatofsiliconwafers
- 中国标准分类号（CCS）H80
- 国际标准分类号（ICS）29.045
- 实施日期2017-01-01
- 文件格式PDF
- 文本页数17页
- 文件大小346.53KB
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硅片订货单格式输入规范
国家标准 GB/T322792015 硅片订货单格式输入规范 Speeifieationfororderentryformatofsiliconwafers 2015-12-10发布 2017-01-01实施 中毕人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中 国国家标准化管厘委员会国家标准
GB/T32279一2015 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAc/TC203)和全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAc/Tc203/SC2)共同提出并归口
本标准起草单位:万向硅峰电子股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限 公司,南京国盛电子有限公司、有研新材料股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司,江苏协鑫硅材 料科技发展有限公司、有色金属工业标准计量质量研究所 本标准主要起草人:朱兴萍、楼春兰、戴文仙,毛卫中,赵纪平、王飞尧、马林宝、孙燕,李慎重、 林清香,杨素心,邹剑秋
GB/T32279一2015 硅片订货单格式输入规范 范围 本标准规定了硅片订货单的格式要求和使用
本标准适用于硅单晶研磨片,硅单晶抛光片,硅单晶外延片,太阳能电池用硅单晶切割片,太阳能电 池用多晶硅片的订货单格式,其他半导体材料的订货单可参照本标准执行
规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的
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GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551硅单晶电阻率测定方法 GB/T1553硅和错体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 (GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 (GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法 (GB/T6619硅片弯曲度测试方法 GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法 (GB/T6621硅片表面平整度测试方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T12965硅单晶切割片和研磨片 GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 (GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T14139硅外延片 GB/T14140硅片直径测量方法 GB/T1414 硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法 12 GB/T14144硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 (GB/T14264 半导体材料术语 GB/T14847重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T24578硅片表面金属沾污的全反射x光荧光光谱测试方法 GB/T26068硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 GB/T26071太阳能电池用硅单晶切割片 GB/T29055太阳电池用多晶硅片
GB/T322792015 GB/30859太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法 GB/T3086o太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法 Ys/T26硅片边缘轮廓检验方法 Ys/T28硅片包装 术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件
3 激光刻号 asermmarking 利用激光把供方代码或其他信息刻于晶片某一位置上,做出标记
要求 4.1硅片的物理性能参数、晶体完整性、几何参数,表面质量包装、检验方法等要求都应在订货单中 体现
4.2硅单晶研磨片订货单格式应符合表1的规定
表1硅单晶研磨片订货单格式 用户名称 规范号 版本号 订货单号 规 格 方 法 注 特性类型 项目 单位 备 ]CZ ]FZ 生长方法 ]其他 了100y GB/T1555 J1l1》 晶向 ]110 ]其他 其他 GB/T1555 晶向偏离度 ]士 其他 JGB/T1550 导电类型 ]正 ]N 物理 其他 性能 ]B ]P 参数 掺杂剂 ]Sb ]As GB/T1551 电阻率 ncm" ]其他 JGB/T11073 径向电阻率变化 不大于 其他 JGB/T1553 少数载流子寿命 不小于C LS 其他
GB/T32279一2015 表1(续 用户名称 规范号 订货单号 版本号 单位 特性类型 项目 规 格 方 法 备 注 GB/T1557 氧含量 不大于C atoms/cm” ]其他 物理 JGB/T14144 性能 氧含量径向变化 % 不大于C 其他 参数 GB/T1558 碳含量 atoms/cenm不大于L 其他 晶体 ]GB/T1554 位错密度 个/cnm 不大于C ]其他 完整性 GB:/T14140 直径及允许偏差 ]士 mm 其他 ]GB/T6618 厚度及允许偏差 ]士[ Am 其他 GB/T6618 总厚度变化 不大FC m ]其他 GB/T6619 弯曲度 不大于C Am 其他 ]GB/T6620 翘曲度 不大于 Am 其他 几何参数 主参考面长度/ GB/T13387 mm ]士 切口尺寸 其他 ]GB/T 主参考面位置/ 13388 110}士1” 切口取向及偏差 ]其他 ]士[ GB/T13387 副参考面长度 mm ]无 其他 ]与主参考面成 ]士 副参考面位置及 jGB/T13388 偏差 ]其他 无 ]R型 ]T型 ]YS/T26 边缘轮廓 ]其他 ]其他 倒角片;不大于 jGB/T12965 边缘崩边 mnm 不倒角片;不大于L 其他 表面质量 ]GBy/T12965 裂纹/缺口 其他
GB/T322792015 表1(续 用户名称 规范号 订货单号 版本号 单位 特性类型 项目 规 格 方 法 备 注 JGB/T12965 无 色斑/沾污 ]其他 表面质量 JGB/T12965 划伤/刀痕 无 其他 供需双方协商 标签 ]其他 ]供需双方协商 数量 ]其他 供需双方协商 装箱单 ]其他 ]YS/T28 包装 其他 ]供需双方协商 质量证明书 ]其他 供需双方协商 内包装 ]其他 ]供需双方协商 外包装 ]其他 执行标准 国家标准 ]行业标准 了企业标准 卫其他 其他 注:未列参数由供需双方协商确定
4.3硅单晶抛光片订货单格式应符合表2的规定
表2硅单晶抛光片订货单格式 规范号 用户名称 订货单号 版本号 规 格 方 法 备 注 特性类型 项目 单位 JCZ FZ 生长方法 ]其他 3100 《1l1》 jGB/T1555 晶向 物理 3110y ]其他 ]其他 性能 GB/T1555 参数 晶向偏离度 ]士 ]其他 GB/T1550 导电类型 ]N 其他
GB/T32279一2015 表2(续 用户名称 规范号 订货单号 版本号 单位 特性类型 项目 规 格 方 法 备 注 ]P ]s ]B 掺杂剂 ]其他 ]As ]GB/T1551 电阻率 nem ]其他 ]GB/T11073 径向电阻率变化 不大于C ]其他 物理 jGB/T1553 性能 少数载流子寿命 不小于口 s ]其他 参数 jGB/T1557 氧含量 不大于口 atoms/emm” ]其他 ]GB/T14l4 氧含量径向变化 不大于C ]其他 ]GB/T1558 碳含量 不大于C atos/cmm” 其他 ]GB/T1554 个/cnm 不大于C 位错度 ]其他 品体 完整性 ]GB/T4058 氧化诱生缺陷 个/cem 不大于C ]供需双方协商 ]GB/T1l40 直径及允许偏差 ]士[ mm ]其他 jGB/T6618 厚度及允许偏差 ]土 Am ]其他 主参考面长度/切 ]GB/T13387 mm ]士[ 口尺寸 ]其他 主参考面位置/切 ](10 ]GB/T13388 士1 口取向及偏差 ]无 其他 ]GB/T13387 副参考面长度 ]士[ mm 其他 儿何参数 ]与主参考面成 GB/T13388 副参考面位置及 士 偏差 其他 ]无 GB/T6618 总厚度变化 不大于C Am ]其他 jGB/T6619 弯曲度 不大FC m ]其他 GB/T6620 翘曲度 不大于 丛m 其他
GB/T322792015 表2(续 用户名称 规范号 订货单号 版本号 单位 特性类型 项目 规 格 方 法 备 注 GB/T6621 平整度 不大于C Amm ]其他 不大于[ ][(mm× JGB/T6621 几何参数 局部平整度 Am 其他 mm边缘去除()mm ]T型 ]R型 ]YS/T26 边缘轮廓 ]其他 无 MAX20(>0.2 2m 正面颗粒 ]GB/'T19921 MAX<10(>0,3Mm S1ZE(颗粒大小) 个/片 MAX<5(>24m ]其他 MAX(颗粒数量 ]其他 GB/T6624 划伤 其他 jGB/T6624 无 蚀坑 ]其他 GB/T6624 ]其他 JGB/T6624 区域沾污 ]其他 jGB/T6624 崩边 ]其他 正表面 GB/T6624 裂纹、鸦爪 ]其他 质量 jGB/T6624 凹坑 ]其他 ]GB/T6624 沟(槽 其他 jGB/T6624 小丘 其他 GB/T6624 桔皮,波纹 ]其他 jGB/T6624 刀痕 无 ]其他 ]无 ]电阻率不大于0.02n GB/T6624 杂质条纱 en的重掺杂硅单晶抛光片允 其他 许观察到杂质条绞
GB/T32279一2015 表2(续 用户名称 规范号 订货单号 版本号 单位 特性类型 项目 规 格 方 法 备 注 ]GB/T 6624 无 色斑 ]其他 ]是 供需双方协商 激光刻号 ]否 ]其他 1.Na不大于[C K不大于 Al不大于 Fe不大于C 正表面质量 表面金属杂质含 Ni不大于C 量(Na、K、Al、Fe Cu不大于[ ]GB/T24578 latoms/cm Cu、Zn.Ca、C Ni. Zn不大于C ]供需双方协商 等 Ca不大于 Cr不大于[ 其他C 总表面金属含量不大于 GB/T6624 崩边 无 其他 GB/T6624 无 裂纹,鸦爪 其他 ]GB/T6624 区域沾污 无 其他 ]GB/T6624 无 刀痕 ]其他 GB/T6624 无 色斑 背表面 ]其他 质量 ]酸腐蚀 】供需双方协商 腐蚀 ]碱腐蚀 门其他 ]其他 ]背面损伤 ]多晶 供需双方协商 背表面处理 ]背封 ]其他 ]其他 供需双方协商 氧化层厚度 ]士[ 其他 ]供需双方协商 去边 mm 其他
GB/T322792015 表2(续 用户名称 规范号 订货单号 版本号 单位 特性类型 项目 规 格 方 法 备 注 ]供需双方协商 标签 ]其他 ]供需双方协商 数量 ]其他 ]YS/T28 其他 供需双方协商 装箱单 ]其他 包装 ]供需双方协商 质量证明书 ]其他 供需双方协商 内包装 ]其他 ]供需双方协商 外包装 其他 执行标准 了行业标准 ]国家标准 ]企业标准[ ]其他 其他 注未列参数由供需双方协商确定
4.4硅单晶外延片订货单格式应符合表3的规定
表3硅外延片订货单格式 用户名称 规范号 订货单号 版本号 特性类型 项目 单位 法 规 格 方 备 注 ]N/N十 ]P/P十 ]GB/T1550 导电类型/结构 ]其他 其他 JP 掺杂剂 B ]A ]sH.Cl. ]SiHH 生长硅源 siHC ]SiC 物理 ]CVD 性能 生长方法 参数 ]其他 ]100y ]111》 GB/T1555 晶向 了110) 其他 ]其他 JGB/T1555 晶向偏离度 ]土 其他
GB/T32279一2015 表3(续 用户名称 规范号 订货单号 版本号 单位 特性类型 项目 规 格 方 法 备 注 GB/T1557 氧含量 不大于C atoms/cm” ]其他 物理 JGB/T14144 性能 氧含量径向变化 % 不大于C 其他 参数 GB/T1558 碳含量 atoms/cenm不大于L 其他 GB/T1551 电阻率 Qcm ]其他 jGB/T11073 径向电阻率变化 不大于L ]其他 外延层厚度及允 jGB/T14847 ]士[ 4m 许偏差 其他 GB/T14139 径向厚度变化 不大于C 4m ]其他 外延特性 ]GB/T6619 弯曲度 不大于C 4m []其他 GB/T6620 不大于C 翘曲度 Am []其他 jGB/T6621 平整度 不大于C m ]其他 不大于[ [()mm× GB/T6621 局部平整度 m mm边缘去除()mm ]其他 jGB/T14142 堆垛层错 无 ]其他 总长度不大于[]、每片总 GB/T14139 滑移线 条数不大于C mm 其他 ]其他 MAX<[ 颗粒中> GB/T14139 点状缺陷 ]4m) ]其他 正表面质量 ]其他 JGB/T14139 划伤 无 其他 JGB/T14139 凹坑 无 其他 GB/T14139 桔皮 无 ]其他
GB/T322792015 表3(续 用户名称 规范号 订货单号 版本号 单位 特性类型 项目 规 格 方 法 备 注 ]GB/T 14139 无 裂纹 ]其他 ]GB/T14139 无 鸦爪 ]其他 ]GB/T14139 无 崩边 其他 ]GB/T1139 无 冠状边缘 其他 ]GB/T1139 无 ]其他 正表面质量 1.Na不大于C K不大于[ Al不大于C Fe不大于 表面金属杂质含 i 不大 量(Na,K、Al、Fe、 JGB/T24578 Cu不大于 latoms/cm Ni、.Cu、Zn、.Ca.C" 不大于 供需双方协商 等 Ca不大于 Cr不大于L 其他心 2总表面金属含量不大于 供需双方协商 ]GB/T 14139 边缘多品颗粒 ]其他 ]其他 JGB/T14139 背表面质量沾污 无 其他 ]供需双方协商 JGB/T14139 划伤 ]其他 其他 供需双方协商 标签 ]其他 ]供需双方协商 数量 ]其他 ]YS/T28 包装 ]其他 供需双方协商 装箱单 ]其他 供需双方协商 质量证明书 ]其他 10
GB/T32279一2015 表3(续 用户名称 规范号 订货单号 版本号 单位 特性类型 项目 规 格 方 法 备 注 供需双方协商 内包装 ]其他 Ys/T28 包装 ]其他 供需双方协商 外包装 ]其他 ]国家标准 ]其他 执行标准 ]行业标准 ]企业标准 其他 注:未列参数由供需双方协商确定 4.5太阳能电池用硅单晶切割片订货单格式应符合表4的规定
表4太阳能电池用硅单晶切割片订货单格式 用户名称 规范号 订货单号 版本号 特性类型 项目 单位 规 格 方 法 备 注 CZ ]FZ 生长方法 ]Dss ]其他 JGB/T1550 导电类型 ]N ]P 其他 ]B 掺杂剂 ] JGa" ]1ll ]100 ]GB/T1555 晶向 11oy 其他 其他 准方形和圆形硅片不大于 GB/T1555 晶向偏离度 其他 准方形硅片四个边缘<100y 物理 2. 性能 参数 GB/T1551 电阻率 Qcm 其他 GB/T11073 不大于C 径向电阻率变化 其他 GB/T26068 不小于C 载流子寿命 ！s 其他 GB/T1557 氧含量 不大于C atoms/cm" ]其他 JGB/T1558 不大于C 碳含量 atoms/cm ]其他
GB/T322792015 表4(续 用户名称 规范号 订货单号 版本号 单位 特性类型 项目 规 格 方 法 备 注 GB/T1554 晶体 位错密度 个/em 不大于C ]其他 完整性 GB/T14140 ]士 直径及允许偏差 mm 其他 JGB/T6618 ]士 厚度及允许偏差 Am 其他 GB/T6618 不大于C 总厚度变化 4m 其他 对边宽及允许 GB/T26071 ]士 mm 偏差 其他 对角线及允许 GB/T26071 ]士 mm 偏差 其他 准方形硅片相邻 JGB/T26071 ]士C 几何参数 两边的垂直度 其他 圆弧长及允许 JGB/T26071 ]士[ mm 偏差 其他 ]GB/T3086o 不大于C 线痕深度 Hm 其他 GB/T6619 不大于C 弯曲度 4m 其他 GB/T30859 不大于C 翘曲度 Am 其他 GB/T30859 不大于C 波纹度 m 其他 GB/T26071 裂纹/鸦爪 无 其他 每片不超过[ ]个,宽不大 ]GB/T26071 崩边 于最大到C ]mm,深不大 ]其他 于C ]mm GB/T26071 无 缺口 表面质量 其他 JGB/T26071 孔洞 无 其他 JGB/T26071 沾污 无 其他 GBT26071 无明显色差 其他 12
GB/T32279一2015 表4(续 用户名称 规范号 订货单号 版本号 单位 特性类型 项目 规 格 方 法 备 注 供需双方协商 标签 ]其他 ]供需双方协商 数量 ]其他 供需双方协商 装箱单 ]其他 ]YS/T28 包装 其他 ]供需双方协商 质量证明书 ]其他 供需双方协商 内包装 ]其他 ]供需双方协商 外包装 其他 执行标准 ]企业标准 ]国家标准 ]行业标准C ]其他 其他 注未列参数由供需双方协商确定
4.6太阳能电池用多晶硅片订货单格式应符合表5的规定
表5太阳能电池用多晶硅片订货单格式 用户名称 规范号 订货单号 版本号 特性类型 项目 单位 规 格 方 法 备 注 ]Dss 生长方法 ]其他 ]P GB/T1550 导电类型 ]其他 其他 GB/T1551 电阻率 Qcm 其他 物理 性能 GB/T26068 不小于C 载流子寿命 55 参数 其他 GB/T1557 氧含量 不大于 atoms/cm” 其他 JGB/T1558 碳含量 不大于C atoms/cm" 其他 13
GB/T322792015 表5(续 用户名称 规范号 订货单号 版本号 单位 特性类型 项目 规 格 方 法 备 注 外形尺寸及允许 ]GB/T 14140 ]士C mm 偏差 ]其他 倒角尺寸及允许 ]GB/T29055 mm 偏差 ]其他 GB/T6618 厚度及允许 ]士[ m 偏差 ]其他 jGB/T6618 总厚度变化 不大于 Am ]其他 几何参数 jGB/T6619 弯曲度 不大于口 m ]其他 相邻两边的垂直 ]GB/T29055 士 度及允许偏差 ]其他 ]GB/T3086o 单条线痕Ry值 不大于C Am 其他 ]GB/T 30860 密集型线痕数 不大于C ](Ry>10" 0Am ]其他 沾污 色斑 裂纹 无 孔洞 ]GB/T29055 缺口 无e 表面质量 其他 个,宽不大 每片不超过 崩边 于 mm，深不大于 mm lmm 不大于 品粒的数量 长度= Jmm内) ]供需双方协商 标签 ]其他 ]供需双方协商 数量 ]其他 供需双方协商 装箱单 JYS/T28 ]其他 包装 供需双方协商 其他 质量证明书 ]其他 ]供需双方协商 内包装 ]其他 了供需双方协商 外包装 其他 14
GB/T32279一2015 表5(续 用户名称 规范号 订货单号 版本号 单位 特性类型 项目 规 格 方 法 备 注 执行标准 ]国家标准 ]行业标准 ]企业标准C ]其他 其他 注，未列参数由供需双方协商确定 4.7表1表5中的技术参数应按表中要求的测试方法标准进行检验
如果对于一个项目可采用几种 不同的测试方法,输人时应具体标出
如果一个项目没有可使用的测试方法标准,应规定测试方法
4.8本标准所列产品的包装应符合对应产品标准的要求或由供需双方协商确定
订货单的使用 不同产品的订货单应采用不同的格式 5.1 5.2使用订货单时,要求列人的项目应有一个表示最低技术要求的数值或选项,如无要求需注明 5.3对于几何参数或目视检验项目,可以标出相应的产品标准,也可以标出一个或多个任选项目
在 该情况下,所标出的每个单独项目值应优先于标准值
5.4如果提出的订货单格式与本标准不同,且不能使用填表的方式,应对提出的项目及其要求详细 注明
硅片订货单格式输入规范GB/T32279-2015解读
GB/T32279-2015是我国硅片领域的一项标准，旨在规范硅片订货单格式输入规范及其表示。该标准包含了大量的格式规范及其数据要求等内容，对于企业正确填写订货单，提高订单处理效率具有重要的参考价值。
一、订货单格式规范
在GB/T32279-2015标准中，涉及到了硅片订货单的格式规范，包括：
- 订货单编号
- 供应商名称和地址
- 购货单位名称和地址
- 产品型号、规格、数量
- 交货地点和时间
- 价格和结算方式
- 备注
这些格式规范是为了让企业填写订货单更加规范化、标准化。
二、数据要求
除了格式规范之外，GB/T32279-2015标准还详细规定了硅片订货单的数据要求，以产品型号、规格、数量为例：
产品型号、规格、数量：应根据实际需要列出全部的产品型号、规格和数量。
该标准规定了在填写订货单时，必须将全部的产品型号、规格和数量列出，以确保订单信息的准确性和完整性。
三、填写示例
为了帮助企业更好地理解硅片订货单格式输入规范，下面给出一个简单的示例：
| 订货单编号 | 001 | ||
|---|---|---|---|
| 供应商名称及地址 | 名称 | ABC公司 | |
| 地址 | XX市XX区XX街道XX号 | ||
| 联系人 | 张三 | ||
| 电话/传真 | 1234567890 / 1234567 | ||
| 购货单位名称及地址 | 名称 | DEF公司 | |
| 地址 | XX市XX区XX街道XX号 | ||
| 联系人 | 李四 | ||
| 电话/传真 | 0987654321 / 7654321 | ||
| 产品型号、规格、数量 | 型号 | ABC123 | |
| 规格 | 156mmx156mm | ||
| 数量 | 1000 | ||
| 交货地点和时间 | 地点 | XX市仓库 | |
| 时间 | 2023年6月1日 | ||
| 价格及结算方式 | 价格 | 10元/片 | |
| 结算方式 | 30天内付款 | ||
| 备注 | 无 | ||
通过这个示例，可以更加直观地了解硅片订货单的格式规范和数据要求。
四、总结
通过本文介绍，我们了解了GB/T32279-2015标准中涉及到的硅片订货单格式输入规范及其数据要求等内容。正确填写订货单不仅可以提高企业订单处理效率，还能够减少因为填写错误而导致的损失。因此，企业在填写订货单时一定要按照标准规范进行操作。
